半導(dǎo)體擴(kuò)產(chǎn)競賽火熱化 又一大廠砸170億美元擴(kuò)產(chǎn)

全球半導(dǎo)體代工廠你追我趕，擴(kuò)產(chǎn)“軍備競賽”進(jìn)一步火熱化。繼臺積電之后，全球半導(dǎo)體龍頭三星電子也將在美國擴(kuò)產(chǎn)。

11月24日，三星電子正式宣布，將在得克薩斯州泰勒市新建一半導(dǎo)體制造工廠，投資規(guī)模高達(dá)170億美元。

芯片制造業(yè)加大投資

三星電子表示，170億美元的投資包括場地、物業(yè)改善、機(jī)器設(shè)備，該廠將成為三星在美國有史以來最大的投資，也將使三星在美國的總投資超過470億美元。

新廠將于2022年上半年破土動工，目標(biāo)是在2024年下半年投入運營。泰勒工廠占地超過 500萬平方米，預(yù)計將和韓國平澤市的最新生產(chǎn)線一起，成為三星半導(dǎo)體制造能力的關(guān)鍵產(chǎn)地。

新工廠將生產(chǎn)基于先進(jìn)工藝技術(shù)的產(chǎn)品，應(yīng)用于移動、5G、高性能計算 （HPC） 和人工智能等領(lǐng)域。

臺積電和三星除了在制造工藝上競爭激烈，兩者也在加大全球各地的布局。目前，全球各地政府為了保障供應(yīng)鏈安全，要求晶圓廠增加本土制造，美國更是出臺相關(guān)法案，將釋放 540億美元用于激勵在美國進(jìn)行半導(dǎo)體生產(chǎn)和研究。

就在2020年，臺積電宣布，計劃斥資120億美元在美國亞利桑那州建造一座5納米芯片工廠。首批美國雇傭的工程師在今年4月下旬已經(jīng)抵達(dá)中國臺灣，接受5納米技術(shù)培訓(xùn)。

臺積電預(yù)計，美國工廠的半導(dǎo)體設(shè)備將在2022年下半年進(jìn)廠，5納米一期月產(chǎn)2萬片晶圓的項目將于2024年開始量產(chǎn)。

臺積電董事長劉德音在中期業(yè)績上表示。

不過，據(jù)了解，臺積電的美國工廠進(jìn)展并不算順利。有臺積電員工稱，美國工程師并不能接受臺積電的高強度工作節(jié)奏，而且美國建廠的成本太高。

有多名美國工程師在美國一家人力資源網(wǎng)站上，對臺積電的評價是“工作時間太長”“壓力太大”。

“軍備競賽”火熱化

今年以來，在持續(xù)的“缺芯”形勢下，晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)持續(xù)火熱化。

11月12日，中芯國際公告稱，中芯控股、國家集成電路基金二期（下稱“國家大基金二期”）和海臨微訂立臨港合資協(xié)議，共同成立臨港合資公司，總投資額為88.66億美元。

10月21日，存儲巨頭美光科技宣布，將于未來十年內(nèi)，在存儲器制造和研發(fā)上投入超過1500億美元，以滿足2030年對存儲的需求。

臺積電也在10月14日正式宣布，將赴日本設(shè)立晶圓制造廠，預(yù)計2022年開始建廠，2024年開始投產(chǎn)。該廠初步規(guī)劃以22/28納米特殊工藝為主。值得注意的是，該項資本開支不包含在此前宣布的1000億美金之內(nèi)。

臺積電此前宣布三年投1000億美元；臺聯(lián)電公布1000億新臺幣（約合35.8億美元）投資案，擴(kuò)充在南科的12英寸廠；三星電子將在2030年前增加對System LSI和Foundry業(yè)務(wù)領(lǐng)域的投資，投資總額擴(kuò)大至171萬億韓元（約1516億美元），以加快先進(jìn)半導(dǎo)體工藝技術(shù)的研究和新生產(chǎn)設(shè)施的建設(shè)；英特爾宣布多項擴(kuò)產(chǎn)計劃，一方面擬在美國亞利桑那州投資約200億美元新建兩座晶圓廠，另一方面希望成為晶圓代工的主要提供商。

而全球第四大晶圓代工廠也趁“缺芯”順利IPO。10月28日，格芯在納斯達(dá)克證券交易所上市，其首次公開募股籌集了近26億美元。這是2021年美國最大的首次公開募股募集資金，也是歷史上最大的半導(dǎo)體IPO。

格芯CEO湯姆·考菲爾德（Tom Caulfield）在接受媒體采訪時表示，現(xiàn)在的產(chǎn)能利用率已經(jīng)超100%，公司的晶圓產(chǎn)能到2023年底都已售罄。

根據(jù)格芯的規(guī)劃，未來兩年將投入60億美元，用于擴(kuò)大其在新加坡、德國和美國工廠的產(chǎn)能。其中，新加坡投資超過40億美元，德國和美國各投資10億美元。

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